GB25XF120K
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GB25XF120K中文资料
电子元器件
功能描述
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GB25XF120K
IGBT 6PACK MODULE
IRF
International Rectifier
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GB25XF120K参数资料
电子元器件
参数资料
GB25XF120K
功能描述:IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through;RoHS:否;制造商:Infineon Technologies;产品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V;集电极—射极饱和电压:1.95 V;在25 C的连续集电极电流:230 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:445 W;最大工作温度:+ 125 C;封装 / 箱体:34MM;封装:;
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VISHAY
ECONO2
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