HAT2183WP

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• HAT2183WP
• Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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HAT2183WP参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• HAT2183WP
• 功能描述：MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK；RoHS：是；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：-；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

HAT2183WP供应商

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  0755-83254770
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• 科创特电子（香港）有限公司
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  0755-83014603
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• 北京元坤伟业科技有限公司
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  010-62104931
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• 标准封装
• 06+
• 4000

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• 北京元坤伟业科技有限公司
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• 深圳市瑞祺芯科技有限公司
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  086-0755-28892389
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• QFN8
• 14+
• 12000