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HN1B01FDW1T1G中文资料

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  • Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount
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HN1B01FDW1T1G参数资料

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  • HN1B01FDW1T1G
  • 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;配置:;晶体管极性:PNP;集电极—基极电压 VCBO:;集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V;发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V;集电极—射极饱和电压:;最大直流电集电极电流:;增益带宽产品fT:;直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A;最大工作温度:;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2;

HN1B01FDW1T1G供应商

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  • 深圳市思诺康科技有限公司
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  • HN1B01FDW1T1G
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
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  • SC-74
  • 15+
  • 3000
  • HN1B01FDW1T1G
  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
  • 郑小姐
    15338868823
  • ON
  • SC74
  • 968941
  • HN1B01FDW1T1G
  • 科创特电子(香港)有限公司

  • 0755-83014603
  • ON
  • SC-74
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  • HN1B01FDW1T1G
  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
    010-86398446-806
  • ONS
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  • 2658
  • HN1B01FDW1T1G
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • INTERSIL
  • SC74
  • 615