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HN1B01FDW1T1G中文资料
电子元器件
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HN1B01FDW1T1G
Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount
ONSEMI
ON Semiconductor
6 Pages
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HN1B01FDW1T1G参数资料
电子元器件
参数资料
HN1B01FDW1T1G
功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;配置:;晶体管极性:PNP;集电极—基极电压 VCBO:;集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V;发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V;集电极—射极饱和电压:;最大直流电集电极电流:;增益带宽产品fT:;直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A;最大工作温度:;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2;
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