IDT70V657S10DR

IDT70V657S10DR中文资料

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• IDT70V657S10DR
• HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• IDT70V657S10DRI
• HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V657S10DR参数资料

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• IDT70V657S10DR
• 功能描述：IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 208-BFQFP
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• IDT70V657S10DR
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
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• 15+
• 180018

• IDT70V657S10DRG
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  19129491949(手机优先
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• 段群
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• IDT
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• IDT, Integrated Device Technology Inc
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• 深圳市世联芯科技有限公司
• 蔡小姐
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