IDT70V659S12DR

IDT70V659S12DR中文资料

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• IDT70V659S12DR
• HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
• IDT
  Integrated Device Technology
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• HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70V659S12DR参数资料

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• IDT70V659S12DR
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：2,500；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：1K (128 x 8)；速度：100kHz；接口：UNI/O?（单线）；电源电压：1.8 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；供应商设备封装：8-MSOP；包装：带卷 (TR)；

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