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IDT71V124SA20YI中文资料

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  • IDT71V124SA20YI
  • 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
  • IDT
    Integrated Device Technology
  • IDT
  • 8 Pages
  • 81.33 Kbytes

IDT71V124SA20YI参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IDT71V124SA20YI
  • 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ;RoHS:否;类别:集成电路 (IC) >> 存储器;系列:-;产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008;标准包装:84;系列:-;格式 - 存储器:RAM;存储器类型:SRAM - 同步 ZBT;存储容量:4.5M(128K x 36);速度:75ns;接口:并联;电源电压:3.135 V ~ 3.465 V;工作温度:-40°C ~ 85°C;封装/外壳:119-BGA;供应商设备封装:119-PBGA(14x22);包装:托盘;其它名称:71V3557SA75BGI;

IDT71V124SA20YI供应商

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  • IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 59
  • IDT71V124SA20YI8
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 32-BSOJ
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  • 10001
  • IDT71V124SA20YI8
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部:马先生
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  • IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 深圳市明硅园科技有限公司
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