IDT71V25761S166BG

IDT71V25761S166BG中文资料

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• IDT71V25761S166BG
• 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
• IDT
  Integrated Device Technology
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• 23 Pages
• 513.18 Kbytes
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• IDT71V25761S166BGI
• 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
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IDT71V25761S166BG参数资料

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• IDT71V25761S166BG
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：2,000；系列：MoBL®；格式 - 存储器：RAM；存储器类型：SRAM - 异步；存储容量：16M（2M x 8，1M x 16）；速度：45ns；接口：并联；电源电压：2.2 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-VFBGA；供应商设备封装：48-VFBGA（6x8）；包装：带卷 (TR)；

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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 119-BGA
• 12+
• 10001

• IDT71V25761S166BG
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
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• 15+
• 180018

• IDT71V25761S166BG
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• 陈小姐
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• IDT
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