IDT71V3557SA80BQ

IDT71V3557SA80BQ中文资料

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• IDT71V3557SA80BQ
• 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
• IDT
  Integrated Device Technology
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• 28 Pages
• 996.97 Kbytes
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• IDT71V3557SA80BQI
• 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
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IDT71V3557SA80BQ参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IDT71V3557SA80BQ
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：576；系列：-；格式 - 存储器：闪存；存储器类型：闪存 - NAND；存储容量：512M（64M x 8）；速度：-；接口：并联；电源电压：2.7 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；供应商设备封装：48-TSOP；包装：托盘；其它名称：497-5040；

IDT71V3557SA80BQ供应商

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• IDT71V3557SA80BQ
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 12+
• 10001

• IDT71V3557SA80BQ
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 15+
• 180018

• IDT71V3557SA80BQ8
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