IDT71V35761YSA183BGI

IDT71V35761YSA183BGI中文资料

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• IDT71V35761YSA183BGI
• 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
• IDT
  Integrated Device Technology
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IDT71V35761YSA183BGI参数资料

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• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：2,000；系列：MoBL®；格式 - 存储器：RAM；存储器类型：SRAM - 异步；存储容量：16M（2M x 8，1M x 16）；速度：45ns；接口：并联；电源电压：2.2 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-VFBGA；供应商设备封装：48-VFBGA（6x8）；包装：带卷 (TR)；

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