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IFS150B12N3E4_B31中文资料

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  • IFS150B12N3E4_B31
  • IGBT-modules
  • INFINEON
    Infineon Technologies AG
  • INFINEON
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IFS150B12N3E4_B31参数资料

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  • IFS150B12N3E4_B31
  • 功能描述：IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 150A；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；产品：IGBT Silicon Modules；配置：Dual；集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V；集电极—射极饱和电压：1.95 V；在25 C的连续集电极电流：230 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：445 W；最大工作温度：+ 125 C；封装 / 箱体：34MM；封装：；

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  • 凯美特电子（香港）有限公司
  • 陈新鹏
    61685601
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