IGB50N60T

IGB50N60T中文资料

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• IGB50N60T
• Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• IGB50N60T
• Low Loss IGBT in TrenchStop technology
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• IGB50N60T_09
• Low Loss IGBT in TrenchStop technology
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  Infineon Technologies AG
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IGB50N60T参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IGB50N60T
• 功能描述：IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IGB50N60T供应商

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• IGB50N60T
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• INFINEON
• P-TO-263-3-2
• 15+
• 5000000

• IGB50N60T
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
  0755-82519391
• INFINEON
• P-TO-263-3-2
• 14+
• 9531

• IGB50N60T
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• INFINEON
• 14+
• 25000

• IGB50N60T
• 深圳市新良宇电子有限公司
• 李先生
  0755-83237632
• Infineon Technologies
• IGBT 600V 100A 333W TO263-3
• 15+
• 56912

• IGB50N60T
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
• PG-TO263-3-2
• 15+
• 65875

• IGB50N60T
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• INFINEON
• TO-263原盘
• 14+
• 213750

• IGB50N60TATMA1
• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
• 彭小姐、刘先生、李小姐
  0755-82552857-809
• Infineon
• 原厂原装
• 1516+
• 7500

• IGB50N60TATMA1
• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
  0755-83286481
• Infineon
• 1000
• 13/14+
• 1000

• IGB50N60T
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李小姐
  13717127837
• INFINEON
• P-TO-263-3-2
• 14+
• 4530

• IGB50N60T
• 苏州新电元半导体有限公司
• 李丽
  0512-50325666
• Infineon
• 标准封装
• 14+
• 1640