IKB03N120H2

IKB03N120H2中文资料

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• IKB03N120H2
• HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IKB03N120H2参数资料

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• 参数资料

• IKB03N120H2
• 功能描述：IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

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  0755-83286481
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• 深圳市得捷芯城科技有限公司
• 柯盈琪/19925429803
  0755-83061789
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