IKW03N120H2

IKW03N120H2中文资料

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• IKW03N120H2
• HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
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  Infineon Technologies AG
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IKW03N120H2参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IKW03N120H2
• 功能描述：IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IKW03N120H2供应商

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• 张育豪 13360528695
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• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
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• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
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• INFINEON
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• 15+
• 25000

• IKW03N120H2
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
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• 1213+
• 8100

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• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
  15338868823
• ▲▲INFINE▲ON▲原装进口！公司现
• TO-247
• 1233517

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• 科创特电子（香港）有限公司
• 柯
  0755-83014603
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