IMX9T110

IMX9T110中文资料

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• IMX9T110
• General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors)
• ROHM
  Rohm
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IMX9T110参数资料

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• 参数资料

• IMX9T110
• 功能描述：两极晶体管 - BJT DUAL NPN 20V 500MA；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

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• 科创特电子（香港）有限公司
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• SOT-163
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• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
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• 08+
• 40000

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• 深圳市坤融电子科技有限公司
• 肖瑶 13926529829
  0755-23990975
• ROHM
• SOT-163
• 13+ROHS
• 63000

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• 深圳市利兴崇电子有限公司
• 林S
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• 14+
• SOT23-6
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• 陈小姐/蔡小姐/王先生
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