IPA65R190CFD

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• IPA65R190CFD
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  Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPA65R190CFD参数资料

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• IPA65R190CFD
• 功能描述：MOSFET CoolMOS 650V 190mOhm CFD2 N-Chan MOSFET ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市科海特电子商行
• 陈海钦
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