IPB09N03LAT

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• IPB09N03LAT
• OptiMOS 2Power-Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPB09N03LAT参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IPB09N03LAT
• 功能描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK；RoHS：是；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：OptiMOS™；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IPB09N03LAT供应商

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• IPB09N03LAT
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
• PG-TO263-3-2
• 15+
• 25000

• IPB09N03LAT
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 祁志明
  16605347030
• Infineon Technologies
• 原装正品
• 13
• 3000

• IPB09N03LAT
• 深圳市海天高电子有限公司
• 梁琳琳
  0755-83268160
• INFINEON
• PG-TO263-3
• 15+
• 12000

• IPB09N03LAT
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• vivi
  -
• Infineon Technologies
• TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
• 12+
• 10800