IPB60R280C6

IPB60R280C6中文资料

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• IPB60R280C6
• Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPB60R280C6参数资料

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• IPB60R280C6
• 功能描述：MOSFET COOLM ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPB60R280C6供应商

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• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  0755-83350789
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• 深圳市远晨电子有限公司
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• 深圳市中联芯电子有限公司
• 张生/陈小姐（ 可开13% 增值税发票）
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• 北京远洋华创科技有限公司
• 杨经理
  010-82533545
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• 芯科国际电子有限公司
• 申小姐
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• Infineon Technologies
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