IPD65R600E6

IPD65R600E6中文资料

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• IPD65R600E6
• 650V CoolMOS E6 Power Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPD65R600E6参数资料

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• 参数资料

• IPD65R600E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 700V 7.3A ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD65R600E6供应商

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• Infineon technologies
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
• PG-TO252-3
• 15+
• 25000

• IPD65R600E6
• 恩士茂国际贸易有限公司
• 陈小姐/蔡小姐/王先生
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• 诚信经营
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• 6000

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• 深圳市虹芯微科技有限公司
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• INFINEON
• TO-252
• 2014+
• 30050

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• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
  0755-83255012
• INFINEON
• TO-252
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• 2340