IPP65R380E6
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IPP65R380E6中文资料
电子元器件
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IPP65R380E6
650V CoolMOS E6 Power Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
17 Pages
1904.10 Kbytes
IPP65R380E6参数资料
电子元器件
参数资料
IPP65R380E6
功能描述:MOSFET N-CH 700V 10.6A ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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深圳市欧昇科技有限公司
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TO-220
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深圳市科海特电子商行
陈海钦
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Infineon
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