IPS04N03LBG

IPS04N03LBG中文资料

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• IPS04N03LBG
• OptiMOS??2 Power-Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPS04N03LBG参数资料

• 电子元器件
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• IPS04N03LBG
• 功能描述：MOSFET N-KANAL POWER MOS；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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