IPSH6N03LAG

IPSH6N03LAG中文资料

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• IPSH6N03LAG
• OptiMOS??2 Power-Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• IPSH6N03LAG
• OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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• 12 Pages
• 542.47 Kbytes

IPSH6N03LAG参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IPSH6N03LAG
• 功能描述：MOSFET N-KANAL POWER MOS；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPSH6N03LAG供应商

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• IPSH6N03LAG
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• INFINEON
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• 深圳市铭万电子有限公司
• 李洁/廖R
  18919554221
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• TO-251
• 2013
• 20000

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• 深圳市迈的特电子有限公司
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  13537709675
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• 10000

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• 深圳市凯龙高科电子技术有限公司
• 赵生
  0755-83773507
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• 29

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• 深圳市汇驰丰科技有限公司
• 朱小姐
  086-0755-83268550
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• SOT-223
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• 71260

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• 深圳市科海特电子商行
• 陈海钦
  0755-82539698
• IPAK SL (TO-251 SL)
• INFINEON
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• 深圳市华裕辉电子有限公司
• 蔡先生
  0755-82723922
• 台产替代
• D2-PAK5-
• 14+
• 10000

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• 北京鼎帆伟业科技有限公司
• 田先生
  010-62967982
• INFINEON
• INFINEON代理商
• 2015
• 3642

• IPSH6N03LAG
• 深圳市永贝尔科技有限公司
• 黄小姐
  0086-755-83253228
• INFINEON
• 原厂原包
• 19960