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IPU04N03LAG中文资料

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  • IPU04N03LAG
  • OptiMOS??2 Power-Transistor
  • INFINEON
    Infineon Technologies AG
  • INFINEON
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IPU04N03LAG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IPU04N03LAG
  • 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IPU04N03LAG供应商

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
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  • 2014
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    13428937514
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    0755-82539698
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