IPW65R660CFD
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IPW65R660CFD中文资料
电子元器件
功能描述
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IPW65R660CFD
650V CoolMOS CFD Power Transistor
INFINEON
Infineon Technologies AG
20 Pages
3951.50 Kbytes
IPW65R660CFD参数资料
电子元器件
参数资料
IPW65R660CFD
功能描述:MOSFET ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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