IRC640PBF

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• IRC640PBF
• HEXFET Power MOSFET
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  International Rectifier
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IRC640PBF参数资料

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• 参数资料

• IRC640PBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 200V 18 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRC640PBF供应商

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• 深圳市卓一科技有限公司二部
• 赵生（只做原装）
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• TO-220-5
• 14年新品
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