IRF3315L

IRF3315L中文资料

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• IRF3315L
• Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A)
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• IRF3315LPBF
• HEXFET Power MOSFET
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IRF3315L参数资料

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• IRF3315L
• 功能描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRF3315L供应商

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-262
• 15+
• 25000

• IRF3315LPRFMD103
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 王
  18724450645
• TE Connectivity
• 原厂标准封装
• 2014
• 3000

• IRF3315L
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
• IR
• TO-220
• 2015+
• 30262