IRF610

IRF610中文资料

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• IRF610
• N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
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• IRF610
• 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
• INTERSIL
  Intersil Corporation
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• 7 Pages
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• IRF610
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 8 Pages
• 594.16 Kbytes

• IRF6100
• HEXFET Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
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• 8 Pages
• 234.36 Kbytes
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• IRF6100PBF
• HEXFET Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
• 
• 8 Pages
• 618.67 Kbytes
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• IRF610-613
• N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
• 
• 5 Pages
• 148.52 Kbytes

• IRF610A
• Advanced Power MOSFET
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
• 
• 7 Pages
• 253.80 Kbytes

• IRF610B
• 200V N-Channel MOSFET
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 866.99 Kbytes

• IRF610PBF
• HEXFET?? Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
• 
• 7 Pages
• 3565.38 Kbytes

• IRF610PBF
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
• 
• 8 Pages
• 594.16 Kbytes

• IRF610S
• HEXFET Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
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• 6 Pages
• 178.74 Kbytes

• IRF610SPBF
• HEXFET?? Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
• 
• 9 Pages
• 1871.43 Kbytes

IRF610参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF610
• 功能描述：MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF610供应商

• 电子元器件
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• IRF610
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• IRF610
• 深圳市英科美电子有限公司
• 张先生
  0755-23903058
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• TRANS
• 13+
• 2880

• IRF610
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
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• TO-220
• 2015+
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• IRF610
• 标准国际(香港)有限公司
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• 95+01
• 400

• IRF610
• 深圳市中平科技有限公司
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• TO-220
• 15+
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• IRF610
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
  0755-82519391
• SEC
• TO-220
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• 9531

• IRF610
• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
  010-86398446-806
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• TOP-3P
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• IRF610
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• IR
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• 2012+
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Siliconix
• TO-220AB
• 15+
• 25000

• IRF610
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• 英特尔
• TO-220
• 0114+
• 3000