IRF6609

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IRF6609参数资料

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• 参数资料

• IRF6609
• 功能描述：MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF6609供应商

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• 荣泽信－晏S
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• 5000

• IRF6609TR1
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• IRF
• SOP-8
• 2012+
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• DIRECTFET™ MT
• 15+
• 25000