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IRF6712STRPBF中文资料

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IRF6712STRPBF参数资料

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  • IRF6712STRPBF
  • 功能描述:MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF6712STRPBF供应商

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • International Rectifier
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  • IRF6712STRPBF
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  • 林小姐//方先生
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  • IRF6712STRPBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • DIRECTFET™ SQ
  • 15+
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  • IRF6712STRPBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
    0755-83350789
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • IRF6712STRPBF
  • 甄芯网
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    0755-83665813
  • IR
  • SMD
  • 10NOPB
  • 24000
  • IRF6712STRPBFF
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • IR
  • ROHS
  • 201315+
  • 2350
  • IRF6712STRPBFFS
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • IR
  • ROHS
  • 201315+
  • 2350