IRF7389TR

IRF7389TR中文资料

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IRF7389TR参数资料

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• IRF7389TR
• 功能描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 阵列；系列：HEXFET®；产品目录绘图：8-SOIC Mosfet Package；标准包装：1；系列：-；FET 型：2 个 N 沟道（双）；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：60V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 4.6A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：-；功率 - 最大：1.4W；安装类型：表面贴装；封装/外壳：PowerPAK? SO-8；供应商设备封装：PowerPAK? SO-8；包装：Digi-Reel®；产品目录页面：1664 (CN2011-ZH PDF)；其它名称：SI7948DP-T1-GE3DKR；

IRF7389TR供应商

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  0755-83946385
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