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IRF7901D1中文资料

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  • IRF7901D1
  • Dual FETKYa?¢ Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode
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    International Rectifier
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  • IRF7901D1PBF
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IRF7901D1参数资料

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  • IRF7901D1
  • 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列;系列:FETKY™;产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package;标准包装:1;系列:-;FET 型:2 个 N 沟道(双);FET 特点:逻辑电平门;漏极至源极电压(Vdss):60V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A;开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V;Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA;闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V;输入电容 (Ciss) @ Vds:-;功率 - 最大:1.4W;安装类型:表面贴装;封装/外壳:PowerPAK? SO-8;供应商设备封装:PowerPAK? SO-8;包装:Digi-Reel®;产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF);其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR;

IRF7901D1供应商

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