IRF830

IRF830中文资料

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• IRF830
• N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
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• N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
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  Fairchild Semiconductor
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• 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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• IRF830
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  Dc Components
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• IRF830
• High current, high speed switching
• SILIKRON
  Silikron Semiconductor Co.,LTD.
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• IRF830
• N-channel mosfet transistor
• ISC
  Inchange Semiconductor Company Limited
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• IRF830
• N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
• COMSET
  Comset Semiconductor
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• IRF830APBF
• Power MOSFET
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• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
• KERSEMI
  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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• IRF830AS
• Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A)
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  Fairchild Semiconductor
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• Power MOSFET
• SUNTAC
  Suntac Electronic Corp.
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  Advanced Power Electronics Corp.
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• IRF830PBF
• HEXFET Power MOSFET
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  International Rectifier
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• IRF830PBF
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• Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
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  International Rectifier
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• IRF830SPBF
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IRF830参数资料

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• 参数资料

• IRF830
• 功能描述：MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 北京杰创宏达电子有限公司
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