IRF9640

IRF9640中文资料

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• IRF9640
• P-CHANNEL POWER MOSFETS
• SAMSUNG
  Samsung semiconductor
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• 12 Pages
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• IRF9640
• 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
• INTERSIL
  Intersil Corporation
• 
• 7 Pages
• 63.94 Kbytes

• IRF9640
• Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)
• IRF
  International Rectifier
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• 6 Pages
• 170.94 Kbytes

• IRF9640
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
• 
• 8 Pages
• 1928.98 Kbytes

• IRF9640PBF
• HEXFET Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
• 
• 7 Pages
• 3453.18 Kbytes

• IRF9640PBF
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
• 
• 8 Pages
• 1928.98 Kbytes

• IRF9640S
• Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)
• IRF
  International Rectifier
• 
• 6 Pages
• 170.71 Kbytes

• IRF9640SPBF
• HEXFET??Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
• 
• 9 Pages
• 979.82 Kbytes

IRF9640参数资料

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• 参数资料

• IRF9640
• 功能描述：MOSFET P-Chan 200V 11 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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