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IRF9Z14STRL中文资料

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  • IRF9Z14STRL
  • Power MOSFET
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
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IRF9Z14STRL参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRF9Z14STRL
  • 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF9Z14STRL供应商

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  • IRF9Z14STRLPBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • Vishay Siliconix
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  • 15+
  • 25000
  • IRF9Z14STRLPBF
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  • IRF9Z14STRL
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  • 陈喜玲 只做原装正品(节假日不休)
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  • 深圳市深创辉科技有限公司
  • 舒小姐
    755-83203120-823,18319039176
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  • 朱卫良
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  • VISHAY/IR
  • 原厂原包装
  • 2013+
  • 1360