IRFB11N50APBF
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IRFB11N50APBF中文资料
电子元器件
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IRFB11N50APBF
Power MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
8 Pages
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IRFB11N50APBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRFB11N50APBF
功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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