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IRFBA22N50A中文资料

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  • IRFBA22N50A
  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=24A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 106.54 Kbytes
  • IRFBA22N50APBF
  • HEXFET??Power MOSFET
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 9 Pages
  • 146.76 Kbytes

IRFBA22N50A参数资料

  • 电子元器件
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  • IRFBA22N50A
  • 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 24 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRFBA22N50A供应商

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • 15+
  • 25000
  • IRFBA22N50APBF
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • 234
  • IRFBA22N50A
  • 深圳山琅电子科技有限公司
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