IRFBF20STRL

IRFBF20STRL中文资料

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• IRFBF20STRL
• Power MOSFET
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  Vishay Siliconix
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• IRFBF20STRLPBF
• Power MOSFET
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  Vishay Siliconix
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IRFBF20STRL参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFBF20STRL
• 功能描述：MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBF20STRL供应商

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• 标封
• 14+
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• IRFBF20STRLPBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• IR
• TO-263
• 2012+
• 736

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Siliconix
• D2PAK
• 15+
• 25000