IRFD113

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• IRFD113
• POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
• GESS
  GE Solid State
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IRFD113参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFD113
• 功能描述：MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
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  18724450645
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• 2014
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
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• GE
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• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
  0755-83041559
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• DIP-4
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Siliconix
• 4-HVMDIP
• 15+
• 25000

• IRFD113
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
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• VISHAY
• 标准封装
• 13+
• 4500