IRFIB5N50LPBF

IRFIB5N50LPBF中文资料

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IRFIB5N50LPBF参数资料

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• IRFIB5N50LPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFIB5N50LPBF供应商

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• 朱先生
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• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
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• 深圳市瑞祺芯科技有限公司
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  0755-28892389
• IR
• TO220
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