IRFPF50
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IRFPF50中文资料
电子元器件
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IRFPF50
Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=1.6ohm, Id=6.7A)
IRF
International Rectifier
6 Pages
167.31 Kbytes
IRFPF50
Power MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
8 Pages
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IRFPF50PBF
Power MOSFET
VISHAY
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8 Pages
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IRFPF50参数资料
电子元器件
参数资料
IRFPF50
功能描述:MOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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赖先生
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13+
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IRFPF50
深圳市科思奇电子科技有限公司
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249
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彭先生
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60
IRFPF50
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郑小姐
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3P
14+
2000
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