IRFPF50

IRFPF50中文资料

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• IRFPF50
• Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=1.6ohm, Id=6.7A)
• IRF
  International Rectifier
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• IRFPF50
• Power MOSFET
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 8 Pages
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• IRFPF50PBF
• Power MOSFET
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  Vishay Siliconix
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IRFPF50参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFPF50
• 功能描述：MOSFET N-Chan 900V 6.7 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
  15338868823
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