IRFR3303

IRFR3303中文资料

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• IRFR3303
• HEXFET Power MOSFET
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  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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• IRFR3303PBF
• HEXFET Power MOSFET
• IRF
  International Rectifier
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• IRFR3303PBF
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  ULTRA LOW ON-RESISTANCE
• KERSEMI
  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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• IRFR3303PBF
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  HEXFET Power MOSFET
• KERSEMI
  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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• IRFR3303TRL
• Ultra Low On-Resistance
• KERSEMI
  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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• IRFR3303TRPBF
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  Ultra Low On-Resistance
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IRFR3303参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFR3303
• 功能描述：MOSFET N-CH 30V 33A DPAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFR3303供应商

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