IRFR4104TRR

IRFR4104TRR中文资料

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• IRFR4104TRR
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• KERSEMI
  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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IRFR4104TRR参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFR4104TRR
• 功能描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFR4104TRR供应商

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• IRFR4104TRR
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
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• IRFR4104TRRPBF
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• International Rectifier
• 标封
• 14+
• 5000

• IRFR4104TRRPBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
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• 15+
• 25000

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• 李洁/廖R
  18919554221
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• International Rectifier
• TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
• 12+
• 10800

• IRFR4104TRRPBF
• 深圳市铭万电子有限公司
• 李洁/廖R
  18919554221
• IR
• TO-252
• 2013
• 20000

• IRFR4104TRRPBF
• 深圳市迈的特电子有限公司
• 陈小姐
  13537709675
• 原厂
• N/A
• 13+
• 10000

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• 深圳市海瑞安科技有限公司
• 李先生 肖小姐
  0755-83958402
• IR
• DPAK
• 2016
• 28000