IRFSL41N15D

IRFSL41N15D中文资料

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• IRFSL41N15D
• Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
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IRFSL41N15D参数资料

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• IRFSL41N15D
• 功能描述：MOSFET N-CH 150V 41A TO-262；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFSL41N15D供应商

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• IRFSL41N15D
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
• 林小姐/欧阳先生
  0755-83245050
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• TO-262
• 2015+
• 24000

• IRFSL41N15D
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• IR
• TO-262
• 15+
• 18652

• IRFSL41N15D
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• International Rectifier
• 标封
• 14+
• 5000

• IRFSL41N15D
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• IR
• TO-262
• 11+
• 6000

• IRFSL41N15D
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-262
• 15+
• 25000

• IRFSL41N15D
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• 1213+
• 9500

• IRFSL41N15D
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• TO-262
• 13+
• 7500

• IRFSL41N15DPBF
• 深圳市佳斯泰科技有限公司
• 廖小姐
  13410012158
• IR
• TO-262
• 11+
• 5000

• IRFSL41N15DPBF
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• ROHS
• 201315+
• 2350

• IRFSL41N15D
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
  18665358069
• IR
• TO-262
• 3912