IRFU9N20D

IRFU9N20D中文资料

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• IRFU9N20D
• Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A)
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• IRFU9N20D
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  Kersemi Electronic Co., Ltd.
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IRFU9N20D参数资料

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• IRFU9N20D
• 功能描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

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