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IRG4BC30中文资料

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  • IRG4BC30
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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  • IRF
  • 8 Pages
  • 167.27 Kbytes
  • IRG4BC30
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 10 Pages
  • 412.64 Kbytes
  • IRG4BC30
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 137.95 Kbytes
  • IRG4BC30F
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 167.27 Kbytes
  • IRG4BC30F
  • Fit Rate / Equivalent Device Hours
  • IRF
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  • IRF
  • 35 Pages
  • 98.39 Kbytes
  • IRG4BC30FD
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 10 Pages
  • 412.64 Kbytes
  • IRG4BC30FD
  • Fit Rate / Equivalent Device Hours
  • IRF
    International Rectifier
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  • 35 Pages
  • 98.39 Kbytes
  • IRG4BC30FD1
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 10 Pages
  • 361.71 Kbytes
  • IRG4BC30FD1PBF
  • Fast CoPack IGBT
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 11 Pages
  • 421.57 Kbytes
  • IRG4BC30FDPBF
  • Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A )
  • IRF
    International Rectifier
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  • 11 Pages
  • 3177.53 Kbytes
  • IRG4BC30FD-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 11 Pages
  • 1256.49 Kbytes
  • IRG4BC30FD-SPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
  • IRF
    International Rectifier
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  • 12 Pages
  • 1177.57 Kbytes
  • IRG4BC30FPBF
  • Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 218.21 Kbytes
  • IRG4BC30K
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 137.95 Kbytes
  • IRG4BC30K
  • Fit Rate / Equivalent Device Hours
  • IRF
    International Rectifier
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  • 35 Pages
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  • IRG4BC30KD
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 10 Pages
  • 196.13 Kbytes
  • IRG4BC30KDPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 11 Pages
  • 321.45 Kbytes
  • IRG4BC30KDS
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 10 Pages
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  • IRG4BC30KD-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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    International Rectifier
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  • IRG4BC30KD-SPBF
  • INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
  • IRF
    International Rectifier
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  • IRG4BC30KD-STRR
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 10 Pages
  • 225.23 Kbytes
  • IRG4BC30KPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • IRG4BC30KS
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 8 Pages
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  • IRG4BC30K-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 161.85 Kbytes
  • IRG4BC30K-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 9 Pages
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  • IRG4BC30KS_04
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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  • IRG4BC30K-S_04
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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  • IRG4BC30K-SPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
  • IRF
    International Rectifier
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  • IRG4BC30S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
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  • IRG4BC30S
  • Fit Rate / Equivalent Device Hours
  • IRF
    International Rectifier
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  • IRG4BC30SPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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  • IRG4BC30SPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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  • IRG4BC30SS
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 9 Pages
  • 152.77 Kbytes
  • IRG4BC30S-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 9 Pages
  • 152.77 Kbytes
  • IRG4BC30S-S
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • IRG4BC30SS_04
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
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  • 204.24 Kbytes
  • IRG4BC30S-S_04
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
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  • IRG4BC30S-SPBF
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 10 Pages
  • 212.25 Kbytes
  • IRG4BC30U
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 8 Pages
  • 167.86 Kbytes
  • IRG4BC30U
  • Fit Rate / Equivalent Device Hours
  • IRF
    International Rectifier
  • IRF
  • 35 Pages
  • 98.39 Kbytes

IRG4BC30参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRG4BC30
  • 制造商：IRF；制造商全称：International Rectifier；功能描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)；

IRG4BC30供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • 何芝
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  • 201315+
  • 2350
  • IRG4BC302SKD-S
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • SOT-263
  • 201315+
  • 2350
  • IRG4BC302SK-S
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • IR
  • SOT-263
  • 201315+
  • 2350
  • IRG4BC305DSTRR
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • IRG4BC30F
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • IR
  • TO-220
  • 14+
  • 9531
  • IRG4BC30F
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • International Rectifier
  • 标封
  • 14+
  • 5000
  • IRG4BC30F
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
  • IR
  • TO-220
  • 15+
  • 18652