IRG4BC40W

IRG4BC40W中文资料

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• IRG4BC40W
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
• IRF
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• 8 Pages
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• IRG4BC40WL
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• IRF
  International Rectifier
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• 343.85 Kbytes

• IRG4BC40WPBF
• ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
• IRF
  International Rectifier
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• IRG4BC40WS
• Insulated Gate Bipolar Transistor
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IRG4BC40W参数资料

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• IRG4BC40W
• 功能描述：IGBT WARP 600V 40A TO-220AB；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路；系列：-；标准包装：30；系列：GenX3™；IGBT 类型：PT；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V；Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A；功率 - 最大：830W；输入类型：标准；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-247-3；供应商设备封装：PLUS247?-3；包装：管件；

IRG4BC40W供应商

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• 销售部经理：马先生
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
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• 北京京华特科技有限公司
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