IRG4IBC10UDPBF

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• IRG4IBC10UDPBF
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT
• IRF
  International Rectifier
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IRG4IBC10UDPBF参数资料

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• IRG4IBC10UDPBF
• 功能描述：IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz ；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

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  18724450645
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• 深圳市创芯弘科技有限公司
• (2014年前十佳IC供应商)
  13410000176
• IR代理
• IGBT 晶体管
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• IRG4IBC10UDPBF
• 深圳山琅电子科技有限公司
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• IRG4IBC10UDPBF
• 深圳市鑫隆科电子有限公司
• 陈裕锋
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• IR
• TO-220F
• 2016年+原装现货
• 36200