IRG4RC20FPBF
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IRG4RC20FPBF中文资料
电子元器件
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IRG4RC20FPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor
IRF
International Rectifier
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IRG4RC20FPBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4RC20FPBF
功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT ;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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