IRGB10B60KDPBF

IRGB10B60KDPBF中文资料

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• IRGB10B60KDPBF
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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  International Rectifier
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IRGB10B60KDPBF参数资料

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• IRGB10B60KDPBF
• 功能描述：IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz ；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• INTERNATIONAL RECTIFIER
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• International Rectifier
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• 14+
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• Internation.Rectifer
• 标准封装
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• IRGB10B60KDPBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• IR
• TO-220
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• 1

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-220AB
• 15+
• 81425

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• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
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