IRLML6401TR

IRLML6401TR中文资料

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• HEXFET Power MOSFET
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  TY Semiconductor Co., Ltd
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IRLML6401TR参数资料

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• IRLML6401TR
• 功能描述：MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRLML6401TR供应商

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  0755-83254770
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  0755-83245050
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• SOT23
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  0755-23903058
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• 38500

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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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  13969210552
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• 5000

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• 深圳市时兴宇电子有限公司
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  0755-83041559
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• SOT23
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• IRLML6401TR
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
  18028731859
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• 15+
• 10000