IRLR8103VPBF

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• IRLR8103VPBF
• N-Channel Application-Specific MOSFETs
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IRLR8103VPBF参数资料

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• IRLR8103VPBF
• 功能描述：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
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• Internation.Rectifer
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• IRLR8103VPBF
• 北京京北通宇电子元件有限公司
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  18724450645
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• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• D-Pak
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• 25000